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申请/专利权人：西安电子科技大学

摘要：本实用新型公开了一种具有SiCSi异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件，包括自下而上依次层叠设置的P型衬底、N型漂移区和顶部半导体层，顶部半导体层沿器件横向方向依次包括发射极结构、沟槽栅极和集电极结构，沟槽栅极从N型漂移区的上表面伸入N型漂移区内部；发射极结构包括N+发射极区、发射极、P+发射极区、第一P阱区和第二P阱区，其中，N+发射极区、P+发射极区、第一P阱区和第二P阱区均嵌入在N型漂移区的上表面，第二P阱区与第一P阱区之间形成第一异质结；集电极结构包括第一N+缓冲层、第二N+缓冲层、P+集电极区和集电极，第一N+缓冲层与第二N+缓冲层之间形成第二异质结。本实用新型能够提高器件动态可靠性，拓展安全工作区，还可提高器件的纵向耐压。

主权项：1.一种具有SiCSi异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的P型衬底1、N型漂移区2和顶部半导体层，所述顶部半导体层沿器件横向方向依次包括发射极结构5、沟槽栅极4和集电极结构3，所述沟槽栅极4从所述N型漂移区2的上表面伸入所述N型漂移区2内部；所述发射极结构5包括N+发射极区51、发射极52、P+发射极区53、第一P阱区54和第二P阱区55，其中，所述N+发射极区51、所述P+发射极区53、所述第一P阱区54和所述第二P阱区55均嵌入在所述N型漂移区2的上表面；所述第一P阱区54设置在所述第二P阱区55上且与所述沟槽栅极4和所述N型漂移区2间隔开，所述第二P阱区55与所述沟槽栅极4接触；所述发射极52和所述P+发射极区53均设置在所述第一P阱区54上且与所述第二P阱区55间隔开，所述发射极52设置在所述N+发射极区51和所述P+发射极区53的上表面，所述第二P阱区55与所述第一P阱区54之间形成第一异质结；所述集电极结构3包括第一N+缓冲层31、第二N+缓冲层32、P+集电极区33和集电极34，其中，所述第一N+缓冲层31嵌入在所述N型漂移区2上表面且与所述沟槽栅极4间隔开；所述第二N+缓冲层32嵌入在所述第一N+缓冲层31上表面且与所述N型漂移区2间隔开，所述P+集电极区33嵌入在所述第二N+缓冲层32的上表面且与所述第一N+缓冲层31间隔开，所述集电极34覆盖在所述P+集电极区33的上表面，所述第一N+缓冲层31与所述第二N+缓冲层32之间形成第二异质结。

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百度查询： 西安电子科技大学 一种具有SiC/Si异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件