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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件，通过在硅片的正面依次制备氧化层和第二本征多晶硅层，并对第二本征多晶硅层进行掺碳和掺磷处理，从而制备得到一个浓度渐变的掺杂结构膜层，掺杂浓度由表层到底层呈指数下降，线性渐变掺碳能够有助于减少光学损失，线性渐变掺磷能够有助于减少载流子复合，提高钝化水平，且表层存在一个高浓度掺碳层，有助于帮助抵抗后续氢处理的轰击，从而减少多晶硅的寄生吸收，有利于增加电池的短路电流，从而提高电流密度。
主权项：1.一种背接触异质结太阳电池，其特征在于，包括：具有正面和背面的硅片；第一半导体层，布置在所述硅片的背面，所述第一半导体层包括依次形成于所述硅片上的隧穿氧化硅层与N型掺杂多晶硅层，所述N型掺杂多晶硅层由第一本征多晶硅层和掺磷多晶硅层组成；第一半导体层被多个第二半导体开口区隔断，所述第二半导体开口区以及所述第二半导体开口区周边的第一半导体层表面均覆盖有第二半导体层，所述第二半导体层由本征非晶硅层与P型掺杂非晶硅层或P型掺杂微晶硅层组成；相邻的所述第二半导体开口区之间设有第一半导体开口区，所述第一半导体开口区将所述第二半导体层隔断；第三半导体层，所述第三半导体层包括依次层叠设置在所述硅片正面的氧化层和第二本征多晶硅层；所述第二本征多晶硅层靠近所述氧化层的一侧为底层，远离所述氧化层的一侧为表层；其中，所述第二本征多晶硅层磷的总掺杂浓度为1e19cm-3~5e19cm-3，所述第二本征多晶硅层碳的总掺杂浓度1e20cm-3~8e20cm-3，所述第二本征多晶硅层的表层磷掺杂浓度为2e21cm-3~8e21cm-3，表层碳掺杂浓度为3e22cm-3~8e22cm-3，所述第二本征多晶硅层的底层磷掺杂浓度为3e17cm-3~6e17cm-3，底层碳掺杂浓度2e18cm-3~5e18cm-3，且磷掺杂浓度和碳掺杂浓度由表层到底层呈线性变化，使用管式PECVD对本征多晶硅进行甲烷和磷烷处理，实现碳和磷的渐变掺杂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件
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