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申请/专利权人：湖北九峰山实验室

摘要：本发明提供一种极性氧化镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件及其制备方法，上述极性氧化镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件包括衬底、缓冲层、沟道、栅极、接触层、Trench结构、源极和漏极；缓冲层和多个沟道依次叠加设于衬底上；沟道由叠加布设的沟道层和势垒层组成；沟道层与势垒层形成的异质结界面通过极化产生二维电子气；两个接触层设于多个沟道的两侧，任一接触层与二维电子气接触，接触层底部与缓冲层相接触，漏极与源极分别设于不同侧的接触层上；两个接触层间的沟道设有多个Trench结构，多个Trench结构间的沟道构成Fin结构，栅极设于Trench结构与Fin结构上，栅极与缓冲层、Fin结构的侧壁和顶部接触；势垒层为ε‑AlxGa1‑x2O3层，沟道层为ε‑Ga2O3层。该Fin‑HEMT器件较现有技术具有更高的电子迁移率。

主权项：1.一种极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器件，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、沟道、栅极、接触层、Trench结构、源极和漏极；所述缓冲层和多个所述沟道依次叠加设于所述衬底上；所述沟道由叠加布设的沟道层和势垒层组成，所述势垒层位于所述沟道层上；所述沟道层与所述势垒层形成的异质结界面通过极化产生二维电子气；两个所述接触层设于多个所述沟道的两侧，任一所述接触层与所述二维电子气相接触，所述接触层的底部与所述缓冲层相接触，所述漏极与所述源极分别设于不同侧的所述接触层上；两个所述接触层之间的多个所述沟道上贯穿设有多个Trench结构，多个所述Trench结构沿与两个所述接触层平行的方向分布，多个所述Trench结构之间的所述沟道构成Fin结构，所述栅极设于所述Trench结构与所述Fin结构上，所述栅极与所述缓冲层、所述Fin结构的侧壁和顶部接触；所述栅极包括第一T型栅、第二T型栅和栅板；所述接触层包括第一接触层和第二接触层，在所述第一接触层和所述第二接触层之间，沿栅宽方向上间隔设有所述Trench结构，形成所述Trench结构和所述Fin结构相交替的结构；所述Trench结构的一端与所述缓冲层相接触；所述第一T型栅设于所述Trench结构中，且所述第一T型栅的栅脚与所述缓冲层的上表面相接触，所述第二T型栅的栅脚与所述Fin结构的顶部相接触，所述栅板紧贴所述沟道垂直设于所述缓冲层上，所述第一T型栅和所述第二T型栅与所述栅板相连接形成所述栅极对所述Fin结构半包围的结构；其中，所述势垒层为非故意掺杂的ε-AlxGa1-x2O3层，所述沟道层为非故意掺杂的ε-Ga2O3层。

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