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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开了一种具有增加的有效晶体管沟道宽度的复合介质栅光敏探测器。该探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，二者均包括复合介质栅结构，并通过衬底中设置的浅沟槽隔离区实现功能分离；复合介质栅结构自下而上包括底层介质层、浮栅、顶层介质层和控制栅；复合介质栅MOSFET部分的浮栅为非平面结构。本发明通过改变光敏探测器中的复合介质栅MOSFET结构，有效提高了晶体管的沟道宽度，进而降低了光敏探测器的时域噪声，解决了当前由于光敏探测器尺寸减小所带来的噪声增加的问题。
主权项：1.具有增加的有效晶体管沟道宽度的复合介质栅光敏探测器，包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，二者均包括复合介质栅结构，并通过衬底中设置的浅沟槽隔离区实现功能分离；所述复合介质栅结构自下而上包括底层介质层、浮栅、顶层介质层和控制栅，其特征在于，所述复合介质栅MOSFET部分的浮栅在所述P型半导体衬底上方形成非平面的鳍状结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 具有增加的有效晶体管沟道宽度的复合介质栅光敏探测器
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