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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：公开了一种C形沟道部半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底上的沟道部，沟道部包括两个或更多个在相对于衬底的横向方向上彼此间隔开且各自的截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线；相对于衬底分别处于沟道部的上下两端的源漏部；以及栅堆叠，栅堆叠围绕沟道部中各纳米片或纳米线的外周。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底上的沟道部，所述沟道部包括两个或更多个在相对于衬底的横向方向上彼此间隔开且各自的截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线；相对于所述衬底分别处于所述沟道部的上下两端的源漏部，所述两个或更多个纳米片或纳米线连接到所述沟道部上端的同一源漏部且连接到所述沟道部下端的同一源漏部；以及栅堆叠，所述栅堆叠围绕所述沟道部中的所述两个或更多个纳米片或纳米线各自的外周，所述栅堆叠包括介于所述两个或更多个纳米片或纳米线中相邻的纳米片或纳米线之间的部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 C形沟道部半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备
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