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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本发明涉及半导体装置。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括栅极图案和绝缘图案；沟道层，其穿透层叠结构；存储器层，其穿透层叠结构，并且围绕沟道层；以及选择晶体管，其连接到沟道层。该选择晶体管包括：碳层，其与沟道层肖特基连接；选择栅极，其与碳层间隔开；以及栅极绝缘层，其位于选择栅极和碳层之间，其中，所述碳层的顶面与所述沟道层的底面接触，并且所述沟道层的底面与所述栅极绝缘层的顶面接触。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括栅极图案和绝缘图案；沟道层，所述沟道层穿透所述层叠结构；存储器层，所述存储器层穿透所述层叠结构，并且围绕所述沟道层；以及选择晶体管，所述选择晶体管连接到所述沟道层，其中，所述选择晶体管包括：碳层，所述碳层与所述沟道层肖特基连接；选择栅极，所述选择栅极与所述碳层间隔开；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述选择栅极和所述碳层之间，其中，所述碳层的顶面与所述沟道层的底面接触，并且所述沟道层的底面与所述栅极绝缘层的顶面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置
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