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申请/专利权人：李佳秀
摘要：本发明公开了一种尺寸微缩下一类新型栅极芯结构。本发明中，做将栅极做内部调控，处于半导体的包围中，可以是从单面到多面，并且可以做不同形状，不含金属时可做导电沟道反向掺杂。此类内栅结构可单独做栅极使用，也可与外栅结构组合使用。此类内栅结构充分利用了栅极外表面，具有与外栅不同的栅控能力、灵活的栅控能力和更小的占地面积，易于使器件进行微缩；由于在在半导体内部，形状限制明显少于外栅，外栅需要跟随半导体外表面变化，内栅可任意变化，且不影响半导体形状随意变化，这样半导体和栅极同时具有形状可调节性，设计起来将更轻松，内栅下的半导体器件模型设计可更容易跟随所调控电流变化，更有利于提高电流的控制能力。
主权项：1.一种尺寸微缩下一类新型栅极芯结构，其特征在于：所述栅极芯结构包括：栅极绝缘层和导体层可不含，做绝缘层反向掺杂所述栅极位于半导体内部，被半导体材料包围；所述绝缘层可选为二氧化硅用作隔离层，或做沟道反向掺杂；所述导体层可选为多晶硅等处于绝缘层内部进行栅控，或无；所述栅极通过导线连接到外部电路，或无连线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 李佳秀 一种尺寸微缩下一类新型栅极芯结构
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