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申请/专利权人：日东电工株式会社
摘要：本半导体装置制造方法包括准备工序和烧结接合工序。准备工序中，准备具有层叠结构的烧结接合工件X，所述层叠结构包含：基板S、配置在其单面侧且要进行接合的多个半导体芯片C、以及分别夹设在各半导体芯片C与基板S之间的含有烧结性颗粒的多个烧结接合用材料层11。烧结接合工序中，通过在将厚度为5～5000μm且拉伸模量为2～150MPa的缓冲材料片20与烧结接合工件X重叠并夹持在一对加压面Pa、Pa之间的状态下，在该加压面Pa、Pa之间将烧结接合工件X沿着其层叠方向进行加压并历经加热过程，从而由各烧结接合用材料层11形成烧结层12。这种半导体装置制造方法适合在加压条件下将多个半导体芯片一并烧结接合于基板。
主权项：1.一种半导体装置制造方法，其包括：准备具有层叠结构的烧结接合工件的工序，所述层叠结构包含：具有第一面和与其相反的第二面的基板、配置在所述第一面侧且要进行接合的多个半导体芯片、以及分别夹设在各半导体芯片与所述基板之间的含有烧结性颗粒的多个烧结接合用材料层；以及烧结接合工序，其通过在将厚度为5～5000μm且拉伸模量为2～150MPa的缓冲材料片与所述烧结接合工件重叠并夹持在一对加压面之间的状态下，在该一对加压面之间将所述烧结接合工件沿着其层叠方向进行加压并历经加热过程，从而由所述烧结接合用材料层形成烧结层，所述烧结接合工序中的加热温度为200℃以上且加压压力为5MPa以上。
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