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申请/专利权人：海信家电集团股份有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；沟槽部，多个沟槽部在第二方向上间隔设置且形成栅极沟槽组和假栅沟槽组，栅极沟槽组和假栅沟槽组在第二方向上交替设置；第一导电类型的场截止层；第二导电类型的集电极层，集电极层设置于场截止层的下表面，集电极层内设置有第一导电类型的第一发射极层，第一发射极层与假栅沟槽组上下对应。由此，通过使第一发射极层与假栅沟槽组上下对应，这样可以充分利用假栅区域，无需单独设置第二半导体器件类型区域，使假栅区域也可以作为第二半导体器件类型区域使用，减小半导体装置的面积，提高半导体装置的工作性能，降低半导体装置的生产成本。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电类型的漂移层（10）；沟槽部（20），所述沟槽部（20）从所述漂移层（10）的上表面向下延伸，所述沟槽部（20）在第一方向上延伸设置且为多个，多个所述沟槽部（20）在第二方向上间隔设置且形成栅极沟槽组（21）和假栅沟槽组（22），所述栅极沟槽组（21）和所述假栅沟槽组（22）在第二方向上交替设置；第一导电类型的场截止层（11），所述场截止层（11）设置于所述漂移层（10）的下表面；第二导电类型的集电极层（12），所述集电极层（12）设置于所述场截止层（11）的下表面，所述集电极层（12）内设置有第一导电类型的第一发射极层（13），所述第一发射极层（13）与所述假栅沟槽组（22）上下对应；所述第一发射极层（13）包括多个子发射极部（131），多个所述子发射极部（131）在第一方向上间隔设置；所述第一发射极层（13）第一方向上的长度小于所述假栅沟槽组（22）第一方向上的长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海信家电集团股份有限公司 半导体装置
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