龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
摘要：半导体装置，涉及半导体器件设计制造领域，装置包括位于沟道层上的势叠层；位于势叠层上的源级、漏级及栅级，P型Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体层位于所述势垒层上，位于P型Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体层上的叠层由n个Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体层和n个Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体氧化层交叉堆叠而成，其中n＝1，2，3。半导体装置具有栅极耐压大幅提高，可靠性好的优点。
主权项：1.半导体装置，包括：一沟道层；一势垒层，位于所述沟道层上；一源极、一漏极及一栅极，均位于所述势垒层上，且所述源极和所述漏极分别位于所述栅极两侧；其特征在于：所述栅极结构如下一P型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层，位于所述势垒层上；一位于所述P型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层上的叠层，所述叠层由n个Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层和n个Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体氧化层交叉堆叠而成，其中n＝1，2，3；一顶部金属，所述顶部金属位于所述叠层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 半导体装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号