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申请/专利权人：通富微电子股份有限公司
摘要：本公开的实施例提供一种异质芯片封装方法和结构，通过硅通孔、重布线层和塑封通孔分别实现了异质芯片的横向互连和芯片的纵向互连，在堆叠提升芯片性能的同时，保持了对位精度和稳定性，达成了全方位的高效数据流通。纵向单元之间以直径更大的塑封通孔对接焊盘，而双面布线的硅中介层实现了芯片的横纵方向高度集成设计，使得多颗芯片平铺在硅中介层的两侧，降低了对位精度要求，稳定性更高，实现了横纵方向全方位互连；无需进行大量的芯片级TSV工艺，可将制程先进的芯片拆解为多颗较低性能的芯片平铺在硅中介层的两侧，降低了成本；采用TMV直通的方式将层间的信号进行传输，再通过硅片和重布线层将信号输出至芯片，信号传输路径短，传输速率高。
主权项：1.一种异质芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一硅片、基板、多组异质芯片和芯片单元；其中，所述异质芯片包括存储芯片和系统级芯片；在所述第一硅片上形成多个硅通孔，并在所述第一硅片的第一表面形成第一重布线层；将第一组所述异质芯片的正面设置于所述第一重布线层，塑封第一组所述异质芯片形成第一塑封层，在所述第一塑封层中形成第一塑封通孔，并在所述第一塑封层背离所述第一硅片的表面形成第二重布线层；在所述第一硅片的第二表面形成第三重布线层，将第二组所述异质芯片的正面设置于所述第三重布线层，塑封第二组所述异质芯片形成第二塑封层，并在所述第二塑封层中形成第二塑封通孔；在所述第二塑封层背离所述第一硅片的表面形成第四重布线层，在所述第四重布线层上形成焊球，并将所述第四重布线层通过所述焊球键合于所述基板；将所述芯片单元堆叠设置于所述第二重布线层，使所述芯片单元与所述基板电连接。
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百度查询： 通富微电子股份有限公司 一种异质芯片封装方法和结构
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