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申请/专利权人：青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
摘要：本发明提供一种防止异质复合材料制备过程中碎片的方法，所述方法通过在供体衬底内进行至少两次离子注入，形成应力缓冲层；之后与支撑衬底键合，得到键合体；进行升温剥离时，该应力缓冲层能够抵消键合体的内部应力，解决了供体衬底和或支撑衬底破碎的问题。本发明得到的异质复合材料满足后续工艺生产需求，适合大批量生产。
主权项：1.一种防止异质复合材料制备过程中碎片的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1在供体衬底内进行至少两次离子注入后，得到处理后供体衬底；2将所述处理后供体衬底与支撑衬底键合，得到键合体；所述支撑衬底与所述供体衬底的材质不同；3将所述键合体进行升温剥离，使得键合体沿注入层断裂，得到复合衬底和剩余的供体衬底；所述升温剥离的过程分阶段进行，升温剥离的阶段数与离子注入的次数相同；4所述复合衬底依次进行退火处理和化学机械抛光处理，得到异质复合材料。
全文数据：
权利要求：
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