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申请/专利权人：苏州龙驰半导体科技有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管，包括：衬底和外延层，外延层位于所述衬底的上方；两个第二掺杂类型的底栅，形成于外延层内且在横向间隔设置；第二掺杂类型的组合式顶栅，顶栅包括顶栅内区和顶栅外区，顶栅内区自上而下形成在所述外延层内，顶栅外区包围在顶栅内区的底面和侧面，且顶栅外区和所述底栅之间具有间隔；其中，顶栅外区的掺杂浓度小于顶栅内区的掺杂浓度，顶栅处于浮空状态；介质层，位于所述顶栅之上的位置；耦合电容上电极，形成在所述介质层之上。本申请解决了传统的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管的工艺窗口极小的技术问题。
主权项：1.一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括：第一掺杂类型的衬底（1）和第一掺杂类型的外延层（2），所述外延层（2）位于所述衬底（1）的上方；两个第二掺杂类型的底栅（3），形成于所述外延层内且在横向间隔设置；第二掺杂类型的组合式顶栅，所述顶栅包括顶栅内区（81）和顶栅外区（82），所述顶栅内区（81）自上而下形成在所述外延层内，所述顶栅外区（82）包围在所述顶栅内区（81）的底面和侧面，且所述顶栅外区（82）和所述底栅（3）之间具有间隔；其中，顶栅外区（82）的掺杂浓度小于所述顶栅内区（81）的掺杂浓度，顶栅处于浮空状态；介质层（9），位于所述顶栅之上的位置；耦合电容上电极（10），形成在所述介质层（9）之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州龙驰半导体科技有限公司 垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管
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