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申请/专利权人：江苏芯德半导体科技股份有限公司

摘要：本发明公开了一种扇出型封装方法及扇出型封装结构，采用圆片级封装工艺制备塑封晶圆，贴膜后切割成无数颗独立封装体；将封装体与被动元件焊接在预先准备的基板上；在基板空余位置涂上密封胶，在封装体背面涂敷散热胶，通过按压的方式将金属散热板安装在基板上；翻转安装完散热板的基板，在基板背面通过植球、回流工艺得到金属球。本发明充分利用扇出型封装工艺的特点，解决了被动元件结构与高温工艺不兼容以及芯片散热的问题，封装结构更稳定；并通过三维堆叠的方式有效利用了垂直方向的空间；实现功能芯片间的三维扇出型互联，用更小尺寸形成高密度互联，集成度更高且更有利于实现。

主权项：1.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：采用圆片级封装工艺制备塑封晶圆，贴膜后切割成无数颗独立封装体；采用圆片级封装工艺制备塑封晶圆包括以下步骤：（1）取一透光材质的载板，在载板上表现涂敷复合分离层；（2）在复合分离层上溅射金属层；（3）在溅射的金属层上方通过光刻、溅射、电镀工艺形成钝化层和第一金属柱，载板的钝化层表面设置有芯片预留区域；（4）在第一层芯片上通过晶圆级金属微凸块技术制作第二金属柱，第二金属柱与第一层芯片实现电信连接；（5）通过减薄工艺将第一层芯片整体减薄至目标厚度，贴膜后再切割成无数颗独立的芯片嵌入体；（6）采用倒装、焊接工艺将芯片嵌入体焊接在载板的钝化层表面的芯片预留区域；（7）用塑封料对载板和芯片嵌入体及第一金属柱进行第一次塑封，形成第一塑封层，第一塑封层高度不低于第一金属柱的高度，第一塑封层尺寸小于晶圆尺寸；（8）通过磨片、抛光工艺，将第一金属柱、第二金属柱裸露出来，在上方通过光刻、溅射、电镀工艺形成绝缘层、再布线金属线路层、再布线金属线路层焊盘；（9）采用倒装、焊接工艺将拥有独立上层金属焊盘的第二层芯片通过上层金属焊盘与再布线金属线路层焊盘对准焊接；（10）第二层芯片与再布线金属线路层之间的空隙用填充料填充；（11）用塑封料对第一塑封层、第二层芯片、再布线金属线路层进行第二次塑封，形成第二塑封层，第二塑封层的尺寸大于第一塑封层且小于晶圆尺寸；（12）对塑封晶圆进行解键合，去掉载板；（13）在无载板的塑封晶圆原来载板的一面贴上热玻璃膜；（14）对贴上热玻璃膜的塑封晶圆翻转，进行第三次塑封，形成第三塑封层，第三次塑封尺寸等于晶圆尺寸；（15）再次翻转塑封晶圆，采用热解键合技术去除热玻璃膜，通过减薄工艺将背面塑封料打磨掉，露出第二层芯片的背面；（16）腐蚀掉步骤二中溅射的金属层，露出钝化层内的导线；（17）依次采用溅射、光刻、电镀工艺形成金属凸块，金属凸块与钝化层内的导线连通，制备成塑封晶圆待用；步骤二：在预先准备的基板上焊接第一被动元件，将切割成的独立封装体通过倒装、回流工艺焊接在基板上；步骤三：将封装体和基板间的空隙用填充料填充；步骤四：在基板空余位置涂上密封胶，在封装体背面涂敷散热胶，通过按压的方式将金属散热板安装在基板上；步骤五：翻转安装完散热板的基板，在基板背面通过植球、回流工艺得到金属球。

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