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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件，该背接触异质结太阳电池的制备方法通过在硅片背部使用激光代替高温退火实现选择性掺杂与再结晶，同时利用激光释放的高温在第一半导体区生成氧化硅掩膜层代替传统的氮化硅掩膜层，使得硅片背面的工艺流程大幅度缩短，有利于提高生产效率，同时使得整个工艺和设备成本显著降低，同时氧化硅掩膜层厚度与激光器的功率需要满足特定公式，以保证第一半导体层处于最优的钝化水平的同时能够保护第一半导层不受制绒清洗的破坏。
主权项：1.一种背接触异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：S01、提供一硅片；S02，在硅片背面依次形成第一隧穿氧化硅层与非晶硅层，以得到第一半导体层；其中，所述非晶硅层由第一本征非晶硅层和掺磷非晶硅层组成；S03，采用激光的方式，在所述非晶硅层表面进行选择性掺杂并形成N型多晶硅层和氧化硅掩膜层，无氧化硅掩膜层的区域为第二半导体开口区；所述选择性掺杂所采用的激光器的功率为10KW-18KW，频率为300KHZ-800KHZ；形成所述氧化硅掩膜层的掺杂区磷掺杂浓度为1e20-5e20cm-3，所述氧化硅掩膜层厚度为29-55nm；其中，所述氧化硅掩膜层厚度与激光器的功率满足L=3P±1，L为氧化硅掩膜层的厚度，单位为nm，P为激光器的功率，单位为KW；S04，通过制绒清洗，去除所述第二半导体开口区内的所述第一半导体层，同时在硅片正面及所述第二半导体开口区形成绒面，之后经过氢氟酸清洗，去除硅片背面第二半导体开口区外的氧化硅掩膜层；S05，在所述硅片正面依次形成第三半导体层及减反层，所述第三半导体层包括第二隧穿氧化层和三氧化二铝膜层，所述减反层为氮化硅层；S06，在硅片的背面沉积第二半导体层，所述第二半导体层包含第二本征非晶硅层与P型掺杂非晶硅层或P型微晶硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件
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