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申请/专利权人：上海交通大学
摘要：一种THBC太阳电池结构及其制备方法，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n+前表面场层或p+前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n+多晶硅层、硼掺杂的p+非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。本发明利用异质结SHJ太阳电池具有优越的界面钝化特性，将TBC太阳电池中钝化较差的p+多晶硅替换为p+氢化非晶硅或者p+氢化微晶硅；同时在电池前表面插入前表面场FSF或者前漂浮结FFE，提高晶硅衬底前表面光生载流子向背面的传输距离，从而显著提高TBC太阳电池背面p+区域界面钝化和载流子传输性能。
主权项：1.一种THBC太阳电池结构，其特征在于，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n+前表面场层或p+前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n+多晶硅层、硼掺杂的p+非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。
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