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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社

摘要：实施方式的太阳能电池包含p电极、n电极、位于所述p电极和所述n电极之间且主要含有氧化亚铜的p型吸光层、以及包含第一n型层和第二n型层的n型层，所述第一n型层位于所述p型吸光层和所述n电极之间，主要包含Gav1Znv2Snv3M1v4Ov5表示的化合物，所述M1为选自Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Mg、Si和Ge中的一种或多种，所述v1、v2和v4为大于或等于0.00的数值，所述v3和v5为大于0的数值，所述v1和v2中至少一个为大于0的数值，以及当所述v1、v2、v3和v4的总和为1时，所述v5大于或等于1.00且小于或等于2.00，且所述第一n型层位于所述n电极侧；所述第二n型层是主要包含Gaw1M2w2M3w3M4w4Ow5表示的化合物的层，所述M2为Al和或B，所述M3为选自In、Ti、Zn、Hf和Zr中的一种或多种，所述M4为选自Sn、Si和Ge中的一种或多种，所述w1和w5为大于0的数值，所述w2、w3和w4为大于或等于0.00的数值，以及当所述w1，w2,w3和w4的总和为2时，所述w5大于或等于3.00且小于或等于3.80，且所述第二n型层位于所述p型吸光层侧。

主权项：1.一种太阳能电池，其包括：p电极；n电极；位于所述p电极和所述n电极之间且主要含有氧化亚铜的p型吸光层；以及包含第一n型层和第二n型层的n型层；所述第一n型层位于所述p型吸光层和所述n电极之间，主要包含Gav1Znv2Snv3M1v4Ov5表示的化合物，所述M1为选自Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Mg、Si和Ge中的一种或多种，所述v1、v2和v4为大于或等于0.00的数值，所述v3和v5为大于0的数值，所述v1和v2中至少一个为大于0的数值，以及当所述v1、v2、v3和v4的总和为1时，所述v5大于或等于1.00且小于或等于2.00，且所述第一n型层位于所述n电极侧；所述第二n型层是主要包含Gaw1M2w2M3w3M4w4Ow5表示的化合物的层，所述M2为Al和或B，所述M3为选自In、Ti、Zn、Hf和Zr中的一种或多种，所述M4为选自Sn、Si和Ge中的一种或多种，所述w1和w5为大于0的数值，所述w2、w3和w4为大于或等于0.00的数值，以及当所述w1，w2,w3和w4的总和为2时，所述w5大于或等于3.00且小于或等于3.80，且所述第二n型层位于所述p型吸光层侧。

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百度查询： 株式会社东芝 东芝能源系统株式会社 太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池组件和光伏发电系统