龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了一种半浮栅晶体管的制备方法、半浮栅晶体管及存储器件，该半浮栅晶体管的制备方法包括：提供基体，在基体的第一表面上设置有栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成第一栅极；去除从第一栅极中露出的部分栅极绝缘层以形成接触窗口；至少在接触窗口位置处形成第二栅极，第一栅极和第二栅极构成半浮栅晶体管的半浮栅层。通过上述方式，可以提高半浮栅晶体管接触窗口最终线宽的一致性。
主权项：1.一种半浮栅晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基体，在所述基体的第一表面上设置有栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一栅极；去除从所述第一栅极中露出的部分所述栅极绝缘层以形成接触窗口；至少在所述接触窗口位置处形成第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极构成所述半浮栅晶体管的半浮栅层；所述至少在所述接触窗口位置处形成第二栅极的步骤包括：在所述栅极绝缘层、所述接触窗口和所述第一栅极上形成第二栅极材料层；对所述第二栅极材料层进行无掩膜刻蚀，直至所述接触窗口内的所述第二栅极的宽度为预设线宽；在所述第一栅极指向所述第二栅极的方向上，所述第二栅极远离所述第一栅极的一侧表面为凸弧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 一种半浮栅晶体管的制备方法、半浮栅晶体管及存储器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号