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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体股份有限公司
摘要：本发明公开了一种SiC栅极沟槽型功率器件，包括：设置为第一导电类型的衬底层；设置为第一导电类型的外延层，位于所述衬底层的一侧，所述外延层远离所述衬底层的一侧设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽包括至少一弧形段；所述外延层包括设置为第二导电类型的阱区；以及设置为第一导电类型的第一区域，位于所述阱区远离所述衬底层的一侧；栅极结构，位于所述栅极沟槽内，所述栅极结构包括栅极，所述栅极和所述阱区接触；源极，位于所述外延层远离所述衬底层的一侧；漏极，位于所述衬底层远离所述外延层的一侧。本发明的SiC沟槽型功率器件，栅极沟槽设置成圆弧形，使得栅极沟槽底部电场分布均匀，避免槽角处电场加剧，氧化层不容易击穿。本发明还公开了一种SiC沟槽型功率器件的制备方法、功率模块、转换电路和车辆。
主权项：1.一种SiC栅极沟槽型功率器件，其特征在于，包括：设置为第一导电类型的衬底层；设置为第一导电类型的外延层，位于所述衬底层的一侧，所述外延层远离所述衬底层的一侧设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽包括至少一弧形段；所述外延层包括设置为第二导电类型的阱区；以及设置为第一导电类型的第一区域，位于所述阱区远离所述衬底层的一侧；栅极结构，位于所述栅极沟槽内，所述栅极结构包括栅极，所述栅极和所述阱区接触；源极，位于所述外延层远离所述衬底层的一侧；漏极，位于所述衬底层远离所述外延层的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽长飞先进半导体股份有限公司 一种SiC沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
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