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申请/专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件中双沟槽制备方法，应用于半导体制备领域，本发明利用一张光罩制备图形化第一掩膜层，且仅在对应主沟槽待刻蚀区域保留第一掩膜层，并在保留的第一掩膜层侧部制备第二掩膜层侧墙，且在两主沟槽待刻蚀区域之间，相对应的两个第二掩膜层侧墙之间形成暴露出衬底的子沟槽待刻蚀区域，而后去除主沟槽待刻蚀区域处剩余的第一掩膜层，并基于第二掩膜层侧墙未遮挡的区域刻蚀衬底，以通过一张光罩完成对双沟槽的制备，无需利用两张光罩分次制备两种线宽的沟槽，缩减了工艺步骤，降低了制备成本，提高了生产效率。
主权项：1.一种半导体器件中双沟槽制备方法，其特征在于，包括：提供一上表面设置有第一掩膜层的衬底，并利用一张光罩对所述第一掩膜层进行图形化处理，以定义出主沟槽待刻蚀区域；刻蚀所述第一掩膜层中定义出的主沟槽待刻蚀区域以外的区域，直至暴露出所述衬底，得到图形化第一掩膜层；在所述图形化第一掩膜层的表面沉积第二掩膜层材料，以得到第二掩膜层；所述第二掩膜层对应所述图形化第一掩膜层暴露出衬底的区域，形成有凹陷结构；刻蚀所述第二掩膜层，直至去除剩余所述第一掩膜层正上侧的所述第二掩膜层，和所述凹陷结构中的部分宽度的所述第二掩膜层，得到在剩余所述第一掩膜层的侧壁保留的第二掩膜层侧墙，作为图形化第二掩膜层；将相邻所述第二掩膜层侧墙之间暴露出所述衬底的区域，作为子沟槽待刻蚀区域，去除所述图形化第一掩膜层，暴露出主沟槽待刻蚀区域；沿所述主沟槽待刻蚀区域和所述子沟槽待刻蚀区域刻蚀所述衬底，完成主沟槽和子沟槽的制备。
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百度查询： 上海鼎泰匠芯科技有限公司 一种半导体器件中双沟槽制备方法
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