龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本实用新型提供了一种低体二极管压降的碳化硅超结沟槽栅MOSFET，超结区的下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；超结区内设有漂移层，漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；沟道区下侧面连接至漂移层的上侧面，沟道区内设有掩蔽层，掩蔽层的下侧面连接至漂移层的上侧面；隔离区下侧面连接至掩蔽层上侧面；源区下侧面连接至隔离区上侧面；栅极绝缘层下侧面连接至掩蔽层的上侧面，栅极绝缘层上设有沟槽；源极金属层分别连接超结区、沟道区、隔离区、源区以及栅极绝缘层；栅极金属层设于沟槽内；漏极金属层的上侧面连接至碳化硅衬底的下侧面；采用了碳化硅超结结构，将器件的纵向耐压结构变为横向，相同厚度下，提高了器件的耐压能力。
主权项：1.一种低体二极管压降的碳化硅超结沟槽栅MOSFET，其特征在于，包括：碳化硅衬底，超结区，所述超结区的下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述超结区内设有漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；沟道区，所述沟道区下侧面连接至所述漂移层的上侧面，所述沟道区内设有掩蔽层，所述掩蔽层的下侧面连接至所述漂移层的上侧面；隔离区，所述隔离区下侧面连接至所述掩蔽层上侧面；源区，所述源区下侧面连接至所述隔离区上侧面；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层下侧面连接至所述掩蔽层的上侧面，所述栅极绝缘层上设有沟槽；源极金属层，所述源极金属层分别连接超结区、沟道区、隔离区、源区以及栅极绝缘层；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内；以及，漏极金属层，所述漏极金属层的上侧面连接至所述碳化硅衬底的下侧面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种低体二极管压降的碳化硅超结沟槽栅MOSFET
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号