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申请/专利权人:河北博威集成电路有限公司
摘要:本申请适用于半导体器件技术领域,提供了一种碳化硅晶体管分立器件及其制备方法,该器件包括铜框架的上方有SiCMOSFET芯片和SiCSBD芯片;铜框架的侧边有漏端子、源端子、开尔文端子和栅端子;漏端子与铜框架相连;其它端子与铜框架电气隔离;SiCMOSFET芯片的上表面有源极焊盘和栅极焊盘;源极焊盘包括第一、第二和第三源极焊盘;SiCSBD芯片的上表面有阳极焊盘;第一源极焊盘与阳极焊盘、第二源极焊盘与源端子、第三源极焊盘与开尔文端子、栅极焊盘与栅端子相连,使芯片形成反并联。本申请能减小SiCMOSFET的续流和开关损耗,降低成本,分散器件热耗,提高器件的散热能力,满足大功率场景的应用。
主权项:1.一种碳化硅晶体管分立器件,其特征在于,包括:铜框架、SiCMOSFET芯片、SiCSBD芯片、漏端子、源端子、开尔文端子、栅端子、源极焊盘、栅极焊盘和阳极焊盘;所述铜框架的上方设置有所述SiCMOSFET芯片和所述SiCSBD芯片;所述铜框架的侧边设置有所述漏端子、所述源端子、所述开尔文端子和所述栅端子;所述漏端子的上表面与所述铜框架的上表面平齐,并与所述铜框架相连;所述源端子、所述开尔文端子和所述栅端子的上表面均与所述铜框架的上表面平齐,并均与所述铜框架电气隔离;所述SiCMOSFET芯片的上表面设置有所述源极焊盘和所述栅极焊盘;所述源极焊盘包括第一源极焊盘、第二源极焊盘和第三源极焊盘;所述SiCSBD芯片的上表面设置有所述阳极焊盘;所述第一源极焊盘与所述阳极焊盘相连,所述第二源极焊盘与所述源端子相连,所述第三源极焊盘与所述开尔文端子相连,所述栅极焊盘与所述栅端子相连,以使所述SiCMOSFET芯片和所述SiCSBD芯片形成反并联。
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