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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本公开涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件可以包括：包括与多个第一绝缘层交替堆叠的多个第一导电层的第一栅极结构；包括与多个第二绝缘层交替堆叠的多个第二导电层的第二栅极结构；包括与多个第三绝缘层交替堆叠的第三导电层的第三栅极结构；以及穿过第三栅极结构和第二栅极结构延伸到第一栅极结构中的第一接触插塞，第一接触插塞连接到多个第一导电层中的第一第一导电层，并且第一接触插塞包括位于第二栅极结构与第三栅极结构之间的界面处的第一拐点部分。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一栅极结构，包括与多个第一绝缘层交替堆叠的多个第一导电层；第二栅极结构，包括与多个第二绝缘层交替堆叠的多个第二导电层；第三栅极结构，包括与多个第三绝缘层交替堆叠的多个第三导电层；以及第一接触插塞，穿过所述第三栅极结构和所述第二栅极结构延伸到所述第一栅极结构中，所述第一接触插塞连接到所述多个第一导电层中的第一第一导电层，并且所述第一接触插塞包括第一拐点部分，所述第一拐点部分位于所述第二栅极结构与所述第三栅极结构之间的界面处。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体器件和半导体器件的制造方法
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