龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本公开涉及半导体装置以及制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构，该栅极结构包括交替层叠的导电层和绝缘层并且包括用于暴露导电层中的至少一个的阶梯结构；接触插塞，该接触插塞延伸穿过栅极结构并且该接触插塞电连接到通过阶梯结构暴露的最上侧导电层；以及绝缘间隔件，该绝缘间隔件设置在导电层当中的剩余导电层与接触插塞之间。绝缘层可以各自具有第一厚度，并且绝缘间隔件可以各自具有比第一厚度小的第二厚度。
主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：栅极结构，所述栅极结构包括交错的导电层和绝缘层，所述栅极结构包括阶梯结构；接触插塞，所述接触插塞延伸穿过交错的所述导电层和所述绝缘层，所述接触插塞电连接到所述阶梯结构的所述导电层当中的最上侧导电层并且与所述阶梯结构的所述导电层当中的剩余导电层电隔离；以及绝缘间隔件，所述绝缘间隔件设置在所述剩余导电层与所述接触插塞之间，其中，所述绝缘层各自具有第一厚度，并且所述绝缘间隔件各自具有比所述第一厚度小的第二厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置以及制造半导体装置的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号