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申请/专利权人：东洋炭素株式会社
摘要：在SiC芯片40的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片40的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片40。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片40进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片40上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片40上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片40的内部应力。
主权项：1.一种去除了加工变质层的SiC芯片的制造方法，其是进行去除产生在SiC芯片的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序来制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片的方法，其特征在于包括：研磨工序，其中使用氧化剂在所述SiC芯片上生成反应生成物的同时，使用磨粒去除该反应生成物，由此得到表面经过研磨的研磨后芯片，在所述加工变质层去除工序中，对于所述研磨后芯片，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨后芯片进行蚀刻量为大于或等于0.5μm、小于或等于10μm的蚀刻，以去除所述加工变质层，在所述研磨后芯片上，起因于所述加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生应力，通过利用所述加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小所述SiC芯片的内部应力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东洋炭素株式会社 SiC芯片的制造方法
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