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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开实施例的半导体结构包括：衬底；第一源极漏极部件，设置在衬底上；第一接触蚀刻停止层CESL，设置在第一源极漏极部件上；第一介电层，设置在第一CESL上方；蚀刻停止层ESL，设置在第一CESL和第一介电层上并且与第一CESL和第一介电层接触；第二源极漏极部件，设置在ESL上方；第二CESL，设置在第二源极漏极部件上；第二介电层，设置在第二CESL上方。第一源极漏极部件包括硅和n型掺杂剂，并且第二源极漏极部件包括硅锗和p型掺杂剂。本申请的实施例还涉及半导体器件。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一下部源极漏极部件和第二下部源极漏极部件，设置在所述衬底上方；第一多个纳米结构，在所述第一下部源极漏极部件和所述第二下部源极漏极部件之间延伸；第一栅极结构，包裹所述第一多个纳米结构的每个；第一接触蚀刻停止层和第一介电层，位于所述第一下部源极漏极部件上方；第一蚀刻停止层，位于所述第一接触蚀刻停止层和所述第一介电层上方并且与所述第一接触蚀刻停止层和所述第一介电层接触；第二接触蚀刻停止层和第二介电层，位于所述第二下部源极漏极部件上方；第二蚀刻停止层，位于所述第二接触蚀刻停止层和所述第二介电层上方并且与所述第二接触蚀刻停止层和所述第二介电层接触；第一上部源极漏极部件，位于所述第一蚀刻停止层上方；第二上部源极漏极部件，位于所述第二蚀刻停止层上方；第二多个纳米结构，在所述第一上部源极漏极部件和所述第二上部源极漏极部件之间延伸；以及第二栅极结构，包裹所述第二多个纳米结构的每个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件、半导体结构及其形成方法
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