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申请/专利权人：河南科技大学

摘要：一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法，包括如下步骤：S1、提取寄生参数，并且通过去嵌方法去除寄生参数对本征参数的影响；S2、基于本征Y参数确定每个本征参数的范围；S3、将本征Y参数的实部和虚部分开得到多组Y参数数据；S4、基于Y参数数据利用主成分分析法得到第一主成分；S5、利用第一主成分与每一组Y参数数据进行拟合得到多个拟合系数；S6、将拟合系数与第一主成分相结合得到优化后的本征Y参数提取方法；S7、基于确定好的本征参数的范围以及优化后的本征Y参数提取方法通过粒子群算法提取本征参数。本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法，提高了提取的本征参数的可靠性。

主权项：1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管本征参数提取方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提取寄生参数，并且通过去嵌方法去除寄生参数对本征参数的影响；S1中，提取寄生参数的具体方法为： Ls＝imagZL,12ω；Ld+Ls＝imagZL,22ω；Lg+Ls＝imagZL,11ω；Rs+Rg＝realZL,11；Rs＝realZL,12；Rs+Rd＝realZL,22；其中，Cpds是漏极和源极间的寄生电容、Cpgd是栅极和漏极间的寄生电容、Cpgs是栅极和源极间的寄生电容、Rg是栅极寄生电阻、Lg是栅极寄生电感、Rd是漏极寄生电阻、Ld是漏极寄生电感、Rs是源极寄生电阻、Ls是源极寄生电感，W为栅宽，ω为角频率，YC,ij为提取寄生电容所使用的中间参数，ZC,ij为提取寄生电阻和寄生电感用的中间参数，imag表示取虚部，real表示取实部；S2、基于本征Yint,ij参数确定每个本征参数的范围；S2中，本征Yint,ij参数的计算方法为： 其中，Cgs是栅源电容、Cgd是栅漏电容、Cds是漏源电容、Ri是本征沟道电阻、Rgd是本征栅漏电阻、Rds是输出电阻、Cdb和Rdb是衬底相关参数、Gm是跨导、τ是电子传输时延；S3、将本征Yint,ij参数的实部和虚部分开得到多组Y参数数据；S4、基于Y参数数据利用主成分分析法得到第一主成分；S4中，第一主成分的生成方法为： 其中，aij和bij是拟合系数，Yij为本征Y参数；S5、利用第一主成分与每一组Y参数数据进行拟合得到多个拟合系数；S6、将拟合系数与第一主成分相结合得到优化后的本征Y参数提取方法；S6中，优化后的本征Y参数提取方法为：RealYij＝cijF第一主i,j＝1,2；ImagYij＝dijF第一主i,j＝1,2；其中，cij和dij是拟合系数；S7、基于确定好的本征参数的范围以及优化后的本征Y参数提取方法通过粒子群算法提取本征参数；S7中，提取本征参数的具体方法为： 其中，fk是频率点，是在频率点上实际测试得到的参数，是在频率点上仿真得到的参数，eij和hij是权重系数。

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