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申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管200a、200b、200c，具有：第一类型掺杂的源极层104、第一类型掺杂的漏极层120、垂直地位于第一类型掺杂的源极层和第一类型掺杂的漏极层120之间的通道层106以及特别是水平延伸的鳍和栅极沟槽，其中，所述鳍和栅极沟槽分别在垂直方向上从第一型掺杂的源极层104延伸到第一类型掺杂的漏极层120，并且，所述栅极沟槽分别构造在两个并排的鳍之间，其中，所述场效应晶体管200a、200b、200c还具有用于鳍226的支撑结构308。本发明还涉及一种用于制造所述场效应晶体管的方法。
主权项：1.场效应晶体管200a、200b、200c，具有：第一类型掺杂的源极层104、第一类型掺杂的漏极层120、垂直地位于第一类型掺杂的源极层和第一类型掺杂的漏极层120之间的通道层106以及特别是水平延伸的鳍和栅极沟槽，其中，所述鳍和栅极沟槽分别在垂直方向上从第一型掺杂的源极层104延伸到第一类型掺杂的漏极层120，并且，所述栅极沟槽分别构造在两个并排的鳍之间，其中，所述场效应晶体管200a、200b、200c还具有用于鳍226的支撑结构308。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 罗伯特·博世有限公司 场效应晶体管和用于制造场效应晶体管的方法
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