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申请/专利权人：安徽芯塔电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅半桥器件及其制造方法，所述模块包括两块相对设置的上桥铜基板、下桥铜基板，两块铜基板的内侧均设置有一颗碳化硅MOSFET芯片和两个覆铜陶瓷片，覆铜陶瓷片用于电气绝缘、电气连接和电极引出，下桥铜基板上与上桥芯片源极相连的覆铜陶瓷片内部设置有通孔，用于对该覆铜陶瓷片的正反两面进行电气连接，从而形成一个半桥电路拓扑。本发明焊接工艺简洁，碳化硅MOSFET芯片的正面焊接采用“凸点+回流焊”方案，便于焊接和组装。
主权项：1.一种碳化硅半桥器件，其特征是，包括：相对设置的上桥铜基板和下桥铜基板；下桥碳化硅MOSFET芯片、第一覆铜陶瓷片、第二覆铜陶瓷片，位于下桥铜基板上表面；上桥碳化硅MOSFET芯片、第三覆铜陶瓷片、第四覆铜陶瓷片，位于上桥铜基板下表面；下桥碳化硅MOSFET芯片上表面的源极与第三覆铜陶瓷片电气连接、栅极与第四覆铜陶瓷片电气连接、漏极与下桥铜基板电气连接；上桥碳化硅MOSFET芯片下表面的源极与第一覆铜陶瓷片电气连接、栅极与第二覆铜陶瓷片电气连接，漏极与上桥铜基板电气连接；上桥、下桥铜基板之间的空隙填充有绝缘材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽芯塔电子科技有限公司 一种碳化硅半桥器件及其制造方法
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