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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种场效应晶体管结构及其制备方法。场效应晶体管结构制备方法包括如下步骤：提供一衬底，衬底内界定有场效应晶体管结构的有源区；刻蚀有源区的衬底形成一规则形状的沟槽；在沟槽的侧壁形成场效应晶体管结构的源漏区域结构；在沟槽的底部及源漏区域结构的侧壁形成场效应晶体管结构的轻掺杂区域结构；填充沟槽并在轻掺杂区域结构表面形成场效应晶体管结构的沟道。为实现外延单晶硅层，本发明在衬底表面形成一个规则形状的沟槽，相较于现有的不规则形状的沟槽，降低了沟槽形成的工艺难度，也避免了沟槽中锗硅容易错位的问题，同时还满足了应力工程，提高了沟道中的应力，进而提高沟道载流子迁移率速率。
主权项：1.一种场效应晶体管结构制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底内界定有所述场效应晶体管结构的有源区；刻蚀所述有源区的所述衬底形成一规则形状的沟槽；在所述沟槽的侧壁形成所述场效应晶体管结构的源漏区域结构；在所述沟槽的底部及所述源漏区域结构的侧壁形成所述场效应晶体管结构的轻掺杂区域结构；填充所述沟槽并在所述轻掺杂区域结构表面形成所述场效应晶体管结构的沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 场效应晶体管结构及其制备方法
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