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申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：本发明涉及一种Si3N4‑SiC‑Zr2CN复相陶瓷吸波材料及其制备方法。所述Si3N4‑SiC‑Zr2CN复相陶瓷吸波材料包括：Si3N4基体透波相与SiC‑Zr2CN吸波相；其中，所述Si3N4基体透波相的含量为40～70wt％，SiC‑Zr2CN吸波相的含量为30～60wt％，Zr2CN的含量为1～25wt％，优选为2～20wt％。
主权项：1.一种Si3N4-SiC-Zr2CN复相陶瓷吸波材料，其特征在于，包括：Si3N4基体透波相与SiC-Zr2CN吸波相；其中，所述Si3N4基体透波相的含量为40～70wt%，SiC-Zr2CN吸波相的含量为30～60wt%，Zr2CN的含量为1～25wt%；所述Si3N4-SiC-Zr2CN复相陶瓷吸波材料的制备方法包括：将原料粉体SiC粉、Si粉和ZrC粉混合得到SiC-Si-ZrC混合陶瓷粉体，经成型、负压脱蜡，两步原位氮化反应烧结，得到所述Si3N4-SiC-Zr2CN复相陶瓷吸波材料；所述SiC粉与Si粉的质量比为1.0～1.3，所述ZrC粉加入量占SiC-Si陶瓷粉体总质量的3～25wt%；所述两步原位氮化反应烧结的工艺为：先以3～7℃min的速率升温至1000～1200℃，保温1～3h；再以1～3℃min的速率升温至1300～1500℃，保温1～3h；随后以3～7℃min的速率降至室温；烧结气氛为高纯氮气，其中O2≤0.001%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种Si3N4-SiC-Zr2CN复相陶瓷吸波材料及其制备方法
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