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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种化学气相沉积膜层的返工方法，所述方法包括：提供一需要返工的半导体结构，其包括金属层及自下而上形成于所述金属层上的第一NDC层、TEOS层、低k介电层及介质层；采用第一化学机械研磨工艺对所述介质层进行研磨以漏出所述低k介电层；通过干法刻蚀工艺去除所述低k介电层及所述TEOS层以漏出所述第一NDC层；采用第二化学机械研磨工艺对所述第一NDC层进行研磨以漏出所述金属层；通过CVD工艺于所述金属层的表面自下而上重新沉积所述第一NDC层、所述TEOS层、所述低k介电层及所述介质层。通过本发明解决了现有的因对存在缺陷的膜层做报废处理而使得线上产品良率受到影响的问题。
主权项：1.一种化学气相沉积膜层的返工方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1提供一需要返工的半导体结构，其包括金属层及自下而上形成于所述金属层上的第一NDC层、TEOS层、低k介电层及介质层；步骤2采用第一化学机械研磨工艺对所述介质层进行研磨以漏出所述低k介电层；步骤3通过干法刻蚀工艺去除所述低k介电层及所述TEOS层以漏出所述第一NDC层；步骤4采用第二化学机械研磨工艺对所述第一NDC层进行研磨以漏出所述金属层；步骤5通过CVD工艺于所述金属层的表面自下而上重新沉积所述第一NDC层、所述TEOS层、所述低k介电层及所述介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 化学气相沉积膜层的返工方法
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