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申请/专利权人：ASMIP控股有限公司

摘要：公开一种用于通过在由至少一个腔室壁和喷头界定的反应空间中进行原子层沉积而将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的设备和方法。所述设备可以包含：安置于反应空间内的基材支架，所述基材支架被配置成用于支承至少一个基材；和温度控制系统，所述温度控制系统用于在至少一个腔室壁上暴露于气相反应物中的那些部分处控制所述至少一个腔室壁的温度。所述设备还可以包含用于控制喷头温度的温度控制系统，其中所述用于控制喷头温度的温度控制系统被配置成将所述喷头的温度控制在介于大致80℃与大致160℃之间的温度下。所述方法可以包含：在反应空间内的基材支架上提供至少一个基材；和至少在至少一个腔室壁上暴露于气相反应物中的那些部分处控制所述至少一个腔室壁的温度；以及控制喷头温度。所述方法还可以包含将至少两种气相反应物交替并依序地进料到反应空间中，其中将喷头温度控制在介于大致80℃与大致160℃之间的温度下。

主权项：1.一种设备，其包含：反应腔室，其包含多个垂直腔室壁，其中，所述多个腔室壁中的至少一个包括多个第一区；喷头，所述喷头布置在所述反应腔室之上并垂直于所述垂直腔室壁，其中所述喷头包括多个第二区；反应空间，其由所述垂直腔室壁和喷头界定；基材支架，其安置于反应空间内，基材支架被配置成用于支承基材；第一温度控制系统，其与至少一个腔室壁偶联，用于控制至少一个腔室壁的多个第一区的每一个的温度，其中，所述第一温度控制系统包括所述多个第一区内的多个第一加热器和多个第一温度传感器，其中所述多个第一加热器设置在至少一个腔室壁内或附近，其中所述第一温度控制系统被配置为独立控制所述至少一个腔室壁内的多个第一区的每一个的温度到90℃和140℃之间的温度；第二温度控制系统，其用于控制喷头内的多个第二区的每一个的温度，其中，所述第二温度控制系统包括多个第二区内的多个第二加热器和多个第二温度传感器，其中，所述多个第二加热器设置在所述喷头内或喷头上，其中所述第二温度控制系统被配置为独立控制所述喷头的多个第二区的每一个的温度到90℃和140℃之间的温度；第三温度控制系统，用于控制基材支架上的基材的温度，其中，所述第三温度控制系统包括第三加热器，其中所述第三加热器设置在所述基材支架内；第一气相反应物源，其包括四氯化钛TiCl4；第二气相反应物源，其包括氨NH3；以及ALD控制系统，其中所述ALD控制系统被配置为交替和依次向基材供给四氯化钛和氨，其中，第一温度控制系统、第二温度控制系统和第三温度控制系统彼此独立。

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百度查询： ASMIP控股有限公司 用于通过原子层沉积将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的方法和相关沉积设备