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申请/专利权人：江苏首芯半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种原子层沉积设备，包括：腔体；基座，所述基座设置于所述腔体，用于承载待加工晶圆；气体喷淋头，所述气体喷淋头设置于所述基座上方，用于向腔体内通入工艺气体，所述气体喷淋头和所述基座之间形成工艺区域；密封组件，所述密封组件被配置为能够上下移动，从而在部分工艺时段形成密封的工艺区域。本发明的原子层沉积设备设置了密封组件，在部分工艺时段形成了封闭反应空间，提高反应空间内的气体的压强，从而缩短饱和反应时间，同时可以减少反应气体的无效消耗，降低成本。
主权项：1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括：腔体；基座，所述基座设置于所述腔体内，用于承载待加工晶圆；气体喷淋头，所述气体喷淋头设置于所述基座上方，用于向腔体内通入工艺气体，所述气体喷淋头和所述基座之间形成工艺区域；密封组件，所述密封组件被配置为能够上下移动，从而在部分工艺时段形成密封的工艺区域；所述密封组件包括升降环，所述升降环被配置为围绕所述工艺区域设置，并能够相对于所述工艺区域上下移动；所述升降环被配置为与所述基座连接，并能够相对所述基座上下移动，在部分工艺时段，所述升降环的上端能够移动至所述气体喷淋头的下表面，从而形成密封的工艺区域；所述气体喷淋头的下表面设置环形槽，所述环形槽与所述升降环的上端配合；所述升降环的内侧面设置第一密封结构，所述第一密封结构为第一横向环，所述第一密封结构在部分工艺时段，形成密封的工艺区域时，所述第一密封结构到达所述基座的下表面。
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权利要求：
百度查询： 江苏首芯半导体科技有限公司 一种原子层沉积设备
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