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申请/专利权人:江苏首芯半导体科技有限公司
摘要:本公开实施例涉及半导体制造领域,提供一种反应腔体结构及沉积设备,反应腔体结构包括反应腔本体,反应腔本体内包括反应腔以及与反应腔在竖直方向上相连通的容纳腔,且反应腔位于容纳腔的上方,反应腔体结构还包括进气机构、抽气口、载台、固化机构和控制器,固化机构设置于容纳腔内,且在反应腔内可沿竖直方向上下移动,固化机构用于为膜层提供固化能量,以将膜层转换为目标材料层;控制器用于控制固化机构在竖直方向移动,以使在沉积膜层期间固化机构位于容纳腔内,且在沉积膜层后控制固化机构在竖直方向移动至反应腔内,并控制固化机构为膜层提供固化能量。本公开实施例至少可以提高制备目标材料层的效率和可靠性。
主权项:1.一种反应腔体结构,应用于沉积设备,其特征在于,包括:反应腔本体,所述反应腔本体内包括反应腔以及与所述反应腔在竖直方向上相连通的容纳腔,且所述反应腔位于所述容纳腔的上方;进气机构,所述进气机构设置于所述反应腔顶部,所述进气机构具有进气孔以及与所述进气孔相连通的进气通道,所述进气通道与所述反应腔相连通,所述进气孔用于连通提供气体的进气管;抽气口,所述抽气口与所述反应腔相连通;载台,所述载台用于承载晶圆,所述载台位于所述反应腔内;固化机构,所述固化机构设置于所述容纳腔内,且在所述反应腔内可沿所述竖直方向上下移动,所述固化机构用于为膜层提供固化能量,以将所述膜层转换为目标材料层;控制器,所述控制器与所述固化机构连接,用于控制所述固化机构在所述竖直方向移动,以使在沉积所述膜层期间所述固化机构位于所述容纳腔内,且在沉积所述膜层后控制所述固化机构在所述竖直方向移动至所述反应腔内,并控制所述固化机构为所述膜层提供所述固化能量。
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