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申请/专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司

摘要：本发明提供一种可快速确定化学气相沉积参数的方法，在使用主反应物源、第一掺杂源和第二掺杂源制备化学气相沉积薄膜时，根据第一掺杂元素浓度和第二掺杂元素浓度的目标浓度，调节所述第一掺杂源和所述第二掺杂源的流量，以获得接近目标浓度的工艺结果。本发明通过设计若干组第一和第二掺杂源流量并收集其对应的掺杂浓度，以快速确定对于特定掺杂浓度目标值的第一和第二掺杂源流量，可极大提高研发效率、缩短研发周期、节约研发成本。

主权项：1.一种可快速确定化学气相沉积参数的方法，其特征在于，在使用主反应物源、第一掺杂源和第二掺杂源制备化学气相沉积薄膜时，根据第一掺杂元素浓度和第二掺杂元素浓度的目标浓度，调节所述第一掺杂源和所述第二掺杂源的流量，包括如下步骤：设定N组所述第一掺杂源的流量，N为大于2的自然数，其中，至少n组所述第一掺杂源的流量之间没有线性关系，n为小于等于N且大于2的自然数；固定所述主反应物源和所述第二掺杂源的流量，获得在各组所述第一掺杂源流量下制备得到的化学气相沉积薄膜的第一掺杂元素浓度；在平面直角坐标系中标记N组所述第一掺杂源流量所对应的第一掺杂元素浓度的坐标点，并将各所述坐标点两两相连，形成多根第一类连线；将所述第一掺杂元素浓度的目标浓度所在的水平线定义为第一类水平线，将各所述第一类连线与所述第一类水平线的交点定义为第一类交点，各所述第一类交点将所述第一类水平线分隔为多根第一类线段；将多根所述第一类线段中长度最短的第一类线段的中点的横坐标设定为所述第一掺杂源的设定流量；设定M组所述第二掺杂源的流量，M为大于2的自然数，其中，至少m组所述第二掺杂源的流量之间没有线性关系，m为小于等于M且大于2的自然数；固定所述主反应物源和所述第一掺杂源的流量，获得在各组所述第二掺杂源流量下制备得到的化学气相沉积薄膜的第二掺杂元素浓度；在平面直角坐标系中标记M组所述第二掺杂源流量所对应的第二掺杂元素浓度的坐标点，并将各所述坐标点两两相连，形成多根第二类连线；将所述第二掺杂元素浓度的目标浓度所在的水平线定义为第二类水平线，将各所述第二类连线与所述第二类水平线的交点定义为第二类交点，各所述第二类交点将所述第二类水平线分隔为多根第二类线段；将多根所述第二类线段中长度最短的第二类线段的中点的横坐标设定为所述第二掺杂源的设定流量。

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