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一种聚酰亚胺光刻胶返工方法 

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申请/专利权人:重庆中科渝芯电子有限公司

摘要:本发明提供一种聚酰亚胺光刻胶返工方法,包括以下步骤:S1:检查聚酰亚胺光刻胶涂层是否存在涂布缺陷,筛选出不符合要求的晶圆;S2:将所述不符合要求的晶圆进行干法去胶,去除不合格的聚酰亚胺光刻胶涂层;S3:对去除不合格的聚酰亚胺光刻胶涂层后的晶圆再次涂布聚酰亚胺光刻胶涂层。本申请采用干法去胶,具有在保证去胶速率的同时,降低SIN的损失量的有益效果。

主权项:1.一种聚酰亚胺光刻胶返工方法,在晶圆钝化层制作完成后再进行聚酰亚胺光刻胶涂布,其特征在于,包括:S1:检查聚酰亚胺光刻胶涂层是否存在涂布缺陷,筛选出不符合要求的晶圆;S2:将所述不符合要求的晶圆进行干法去胶,去除不合格的聚酰亚胺光刻胶涂层;S3:对去除不合格的聚酰亚胺光刻胶涂层后的晶圆再次涂布聚酰亚胺光刻胶涂层。

全文数据:

权利要求:

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