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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：本技术涉及一种非易失性存储电路，该非易失性存储电路在维持稳定写入的同时允许小型化和降低的功耗。该非易失性存储电路设置有：存储信息的易失性存储部；以及非易失性存储部，通过存储操作将所述易失性存储部中的信息写入所述非易失性存储部中，并且通过恢复操作经由与用于所述存储操作的存储路径不同的恢复路径，将信息从所述非易失性存储部读出到所述易失性存储部中，其中沿着所述存储路径配置的所有晶体管使其漏极连接在一起。本技术可以应用于NVDFF电路。
主权项：1.一种非易失性存储电路，包括：易失性存储部，被配置为存储信息；非易失性存储部，通过存储操作将所述易失性存储部中的信息写入到所述非易失性存储部中，并且通过恢复操作通过与在所述存储操作时的存储路径不同的恢复路径，将信息从所述非易失性存储部读出到所述易失性存储部；存储用驱动器，布置在所述存储路径上并且被配置为将信息写入到所述非易失性存储部中；第一晶体管，布置在所述存储用驱动器和地之间；控制驱动器，布置在所述存储路径上并且被配置为控制在存储用驱动器侧的相反侧连接到所述非易失性存储部的控制线的电平；第二晶体管，布置在所述控制驱动器和地之间；其中，布置在所述存储路径上的所有晶体管为漏极连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 非易失性存储电路
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