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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种存储结构、存储器及存储结构的制备方法，存储结构包括衬底、存储晶体管和存储单元，衬底中设置有凸起结构，凸起结构沿远离衬底的方向延伸；存储晶体管包括有源层，至少部分有源层位于凸起结构的顶部以及侧壁；有源层的顶部连接存储单元的第一电极，有源层的底部至少部分连接于信号线。由于有源层并非均位于同一平面上，而是部分有源层沿衬底的厚度方向延伸，可充分利用衬底厚度方向上的空间，从而可以缩小有源层的平面尺寸，以缩小存储晶体管的平面尺寸。因此，本公开提供的存储结构、存储器及存储结构的制备方法，能够缩小存储晶体管的平面尺寸，从而提高存储结构和存储器中的存储晶体管的密度，提高存储结构和存储晶器的性能。
主权项：1.一种存储结构，其特征在于，包括衬底、存储晶体管和存储单元，所述衬底中设置有凸起结构，所述凸起结构沿远离所述衬底的方向延伸；所述存储晶体管包括有源层，至少部分所述有源层位于所述凸起结构的顶部以及侧壁；所述有源层的顶部连接所述存储单元的第一电极，所述有源层的底部至少部分连接于信号线。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储结构、存储器及存储结构的制备方法
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