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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本公开的各实施例涉及半导体存储器设备和及其操作方法。一种半导体存储器设备包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储器单元。外围电路被配置成对存储器单元阵列执行编程操作和读取操作。控制逻辑被配置成控制外围电路的操作。控制逻辑控制外围电路对在多个存储器单元中的、被包括在选定页中的存储器单元执行SLC编程操作；将通过对选定页执行正常感测操作所计数的第一故障位的数量与通过对选定页执行多感测操作所计数的第二故障位的数量进行比较；以及基于比较的结果来校正要被用于读取操作的至少一个评估时间。
主权项：1.一种半导体存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；外围电路，对所述存储器单元阵列执行编程操作和读取操作；以及控制逻辑，控制所述外围电路的操作，其中所述控制逻辑控制所述外围电路对在所述多个存储器单元中的、被包括在选定页中的存储器单元执行单级单元SLC编程操作；将第一故障位的数量与第二故障位的数量进行比较，所述第一故障位通过对所述选定页执行正常感测操作被确定，并且所述第二故障位通过对所述选定页执行多感测操作被确定；以及当所述第一故障位不同于所述第二故障位时，基于所述比较的结果来校正在读取操作期间被用于评估所述存储器单元的阈值电压的至少一个评估时间，其中所述正常感测操作包括通过将第一电压施加到被连接到所述选定页的字线来感测所述存储器单元的所述阈值电压，以及其中所述多感测操作包括通过将小于所述第一电压的第一辅助电压施加到所述字线来首先感测所述存储器单元的所述阈值电压，并且随后通过将所述第一电压施加到所述字线上来其次感测所述存储器单元的所述阈值电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器设备及其操作方法
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