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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：一种磁阻效应存储器100，包括：磁阻元件11，包括磁化方向固定的固定层111和磁化方向改变的记录层113；以及写入电路24，反转记录层113的磁化，使得磁阻元件11的电阻值在低电阻值与高电阻值之间切换。当电压被施加至磁阻元件11时，记录层113的磁化通过围绕层的平面方向上的磁场的进动运动而旋转。在记录层113的磁化旋转期间，磁阻元件11的电阻值在低电阻值与高电阻值之间逐渐变化。写入电路24将被限制为预定值的电流施加至磁阻元件11来反转记录层113的磁化，使得磁阻元件11的电阻值从高电阻值切换至低电阻值。
主权项：1.一种磁阻效应存储器，包括：磁阻元件，包括磁化方向固定的固定层和磁化方向改变的记录层；以及写入电路，反转所述记录层的磁化，使得所述磁阻元件的电阻值在低电阻值与高电阻值之间切换，其中，当电压被施加至所述磁阻元件时，所述记录层的所述磁化通过围绕层的平面方向上的磁场的进动而旋转，在所述记录层的所述磁化的旋转期间，所述磁阻元件的所述电阻值在所述低电阻值与所述高电阻值之间逐渐变化，并且所述写入电路通过将被限制为具有预定大小的电流施加至所述磁阻元件来反转所述记录层的所述磁化，使得所述磁阻元件的所述电阻值从所述高电阻值切换至所述低电阻值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 磁阻效应存储器
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