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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：公开了用于3D存储器阵列的布线布置及其形成方法。在实施例中，存储器阵列包括：从存储器阵列的第一边缘沿第一方向延伸的第一字线，第一字线的长度小于存储器阵列的第二边缘的长度，存储器阵列的第二边缘垂直于存储器阵列的第一边缘；从存储器阵列的第三边缘延伸的第二字线，存储器阵列的第三边缘与存储器阵列的第一边缘相对，第二字线沿第一方向延伸，第二字线的长度小于存储器阵列的第二边缘的长度；接触第一字线的存储器膜；以及接触第一源极线和第一位线的氧化物半导体OS层，存储器膜设置在OS层与第一字线之间。本申请的实施例还涉及存储器器件及其形成方法。
主权项：1.一种三维存储器阵列，包括：多条第一字线，在所述三维存储器阵列的第一角区域中分别从所述三维存储器阵列的第一边缘的部分沿第一方向延伸，所述第一方向与所述三维存储器阵列的所述第一边缘垂直，并且所述第一字线的在所述第一方向上的长度小于所述存储器阵列的第二边缘的长度，所述存储器阵列的所述第二边缘垂直于所述存储器阵列的所述第一边缘；多条第二字线，在所述三维存储器阵列的第二角区域中分别从所述三维存储器阵列的第三边缘的部分延伸，所述存储器阵列的所述第三边缘与所述存储器阵列的所述第一边缘相对，并且所述第二角区域是所述第一角区域的斜对角，所述第二字线沿所述第一方向延伸，所述第二字线在所述第一方向上的长度小于所述存储器阵列的所述第二边缘的长度；存储器膜，接触所述第一字线；以及氧化物半导体层，接触第一源极线和第一位线，其中，所述存储器膜设置在所述氧化物半导体层与所述第一字线之间，其中，多条所述第一字线在所述第一角区域中形成阶梯结构，多条所述第二字线在所述第二角区域中形成阶梯结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器阵列、存储器器件及其形成方法
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