买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：湘潭大学

摘要：本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种双栅极场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底自下而上依次设置基底层和第一氧化物层；底部栅极自下而上依次设置第一金属层、第一氧化铪基负电容层及第二氧化物层；半导体层包含源极、沟道、漏极；顶部栅极自下而上依次设置第三氧化物层、第二氧化铪基负电容层及第二金属层。本发明利用两个栅极负电容层的共同作用，实现更强的栅控能力，大幅稳定场效应晶体管的负电容效应，获得更稳定的超低亚阈值摆幅，大幅降低器件工作电压，有望满足先进微电子器件的发展需求。

主权项：1.一种双栅极场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底：所述衬底自下而上依次设置有基底层101和第一氧化物层100；底部栅极：所述底部栅极位于所述第一氧化物层100上，所述底部栅极自下而上依次设置有第一金属层123、第一氧化铪基负电容层122以及第二氧化物层121；半导体层：所述半导体层包含源极131、沟道132、漏极133；所述源极131、所述漏极133位于所述第一氧化物层100上，所述沟道132扣合在底部栅极上；顶部栅极：所述顶部栅极位于所述沟道132上，所述顶部栅极自下而上依次设置有第三氧化物层113、第二氧化铪基负电容层112以及第二金属层111；所述源极131和所述漏极133对称设置在所述沟道132的两侧并延伸至所述沟道132，使所述源极131、所述漏极133和所述沟道132连接为一个整体；所述沟道132的凹槽的宽度与所述底部栅极的宽度相互配合；所述底部栅极不覆盖第一氧化物层100的整个表面；所述顶部栅极的投影面积为所述沟道132的投影面积与所述底部栅极的投影面积的重合部分；所述半导体层的材料包括硅、锗、砷化镓、氮化镓、氧化镓、氧化锌、氧化铟锡、碳化硅中的任一种；氧化物层包括第一氧化物层100、第二氧化物层121、第三氧化物层113；金属层包括第一金属层123、第二金属层111；基底层的厚度为50μm～0.5mm，氧化物层的厚度为10nm以下，金属层的厚度为10～40nm，半导体层的厚度为1～100nm；所述第一氧化铪基负电容层122与所述第二氧化铪基负电容层112的厚度独立的为1～40nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种双栅极场效应晶体管及其制备方法