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申请/专利权人：三垦电气株式会社
摘要：半导体元件以及栅极驱动装置。半导体元件具有第1导电型第1半导体区域、第1半导体区域上的第2导电型第2半导体区域、在第2半导体区域上且杂质浓度比第2半导体区域低的第2导电型第3半导体区域、第3半导体区域上的第1导电型第4半导体区域、第4半导体区域上的第2导电型第5半导体区域、与第5半导体区域分开且第4半导体区域上的第2导电型第6半导体区域、设置于从第5半导体区域到达第6半导体区域的第4半导体区域上的具有绝缘栅结构的栅极电极及贯穿第2半导体区域和第3半导体区域的槽。槽包围半导体元件，到达第1半导体区域，第1半导体区域中的槽的深度比从与第2半导体区域之间的界面扩展的第1半导体区域中产生的耗尽层的深度深。
主权项：1.一种半导体元件，该半导体元件具有：第1导电型的第1半导体区域；所述第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域；所述第2半导体区域之上的第2导电型的第3半导体区域，其杂质浓度比所述第2半导体区域低；所述第3半导体区域之上的第1导电型的第4半导体区域；所述第4半导体区域之上的第2导电型的第5半导体区域；所述第4半导体区域之上的第2导电型的第6半导体区域，其与所述第5半导体区域分开；具有绝缘栅结构的第1栅极电极，其设置于从所述第5半导体区域到所述第6半导体区域的所述第4半导体区域之上；以及槽，其贯穿所述第2半导体区域和所述第3半导体区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三垦电气株式会社 半导体元件以及栅极驱动装置
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