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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种T型栅极平面超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过设置栅极介质层形成于N型漂移层的凹槽侧壁、凹槽底部以及第一P型基区、第二P型基区上，且栅极介质层包裹栅极多晶硅层，栅极多晶硅层为T型结构，并且栅极多晶硅层的垂直部深入至相邻的第一P柱和第二P柱之间，从而在N型漂移层内形成电子电流高速通道，JFET区内的电子电流密度大幅提升，成功消除了JFET效应，增大了器件的饱和电流，解决了传统平面SJMOS存在的JFET效应的问题。
主权项：1.一种T型栅极平面超结MOSFET，其特征在于，包括：N型衬底；第一P柱、N型漂移层、第二P柱，形成于所述N型衬底的正面；其中，所述N型漂移层位于所述第一P柱与所述第二P柱之间；第一P型基区、第二P型基区，所述第一P型基区形成于所述第一P柱上，所述第二P型基区形成于所述第二P柱上；第一N型源区、第二N型源区，所述第一N型源区形成于所述第一P型基区的凹槽内，所述第二N型源区形成于所述第二P型基区的凹槽内；栅极介质层和栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述N型漂移层的凹槽侧壁、凹槽底部以及所述第一P型基区、所述第二P型基区上，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层为T型结构，所述栅极多晶硅层的垂直部深入至相邻的所述第一P柱和所述第二P柱之间；源极层，形成于所述第一N型源区、所述第二N型源区、所述第一P型基区、所述第二P型基区以及所述栅极介质层的部分区域上；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。
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