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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种深源极超结MOSFET器件及其制备方法、芯片，通过设置凸形结构的N型漂移层，在N型漂移层的两侧形成第一栅极多晶硅层和第二栅极多晶硅层，减小栅极面积，降低栅极电荷，并利用倒山字形结构的源极层控制第一栅极多晶硅层和第二栅极多晶硅层之间的第三P型基区的开启，增加电流导通通道，还可以通过控制绝缘介质层的厚度使得其导通电压低于体二极管的导通压降，减少P型源极的空穴注入，而且N型源极的存在增加了电子浓度，提高了正向导通电流，不会影响器件的正向导通特性，同时还降低了少子空穴的寿命，进一步改善了器件的反向恢复。

主权项：1.一种深源极超结MOSFET器件，其特征在于，包括：N型衬底；第一P柱、N型漂移层以及第二P柱，形成于所述N型衬底上；其中，所述第一P柱、所述第二P柱分别位于所述N型漂移层的两侧，所述N型漂移层为凸形结构；第一P型基区、第二P型基区，所述第一P型基区形成于所述第一P柱和所述N型漂移层的第一水平部上，第二P型基区形成于所述第二P柱和所述N型漂移层的第二水平部上，所述第一P型基区和所述第二P型基区为L形结构；第一P型源区、第一N型源区，形成于所述第一P型基区的水平部上；第二P型源区、第二N型源区，形成于所述第二P型基区的水平部上；第一栅极介质层、第一栅极多晶硅层，所述第一栅极介质层位于所述第一P型基区的竖直部以及所述N型漂移层的第三水平部的部分区域和所述第一N型源区的部分区域上，且所述第一栅极介质层包裹所述第一栅极多晶硅层；第二栅极介质层、第二栅极多晶硅层，所述第二栅极介质层位于所述第二P型基区的竖直部以及所述N型漂移层的部分区域和所述第二N型源区的部分区域上，且所述第二栅极介质层包裹所述第二栅极多晶硅层；第三P型基区，形成于所述N型漂移层上，且位于所述第一栅极介质层与所述第二栅极介质层之间；第三N型源区，形成于所述第三P型基区上，且位于所述第一栅极介质层与所述第二栅极介质层之间；源极层，呈倒山字形结构，所述源极层与所述第一P型源区、第一N型源区、所述第二P型源区、第二N型源区接触，且所述源极层倒山字形结构的中间凸起部嵌入至所述第三P型基区与所述第三N型源区内，所述嵌入至所述第三P型基区、所述第三N型源区内的源极层与所述第三P型基区、所述第三N型源区之间由绝缘介质层隔离；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。

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