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申请/专利权人：南京融芯微电子有限公司

摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种沟槽式MOSFET的制备方法，具体制备步骤如下：S1在外延层和氮化硅层表面形成多晶硅；S2在氮化硅层两侧壁残留侧壁多晶硅，在外延层上蚀刻出沟槽Ⅰ，生成闸极氧化层；S3在沟槽Ⅰ内填入闸极多晶硅；S4去除侧壁多晶硅和闸极多晶硅，沉积遮避氧化层；S5形成P型阱区Ⅰ和N型阱区；S6沉积介电层；S7在沟槽Ⅱ内离子注入P型阱区Ⅱ；S8沉积金属形成电极。本发明在保证器件静态特性不受影响的前提下，只需要采用二层光罩就能实现沟槽式MOSFET的制作，不仅大幅降低了MOSFET器件的生产成本，还进一步缩减了MOSFET器件的生产时间，大大提高了工作效率。

主权项：1.一种沟槽式MOSFET的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：S1：在外延层（100）上沉积一层氮化硅，采用光刻工艺基于第一道光罩层蚀刻氮化硅部分区域，形成若干间隔分布的氮化硅层（101），并在外延层（100）和氮化硅层（101）表面沉积形成多晶硅（102a）；S2：采用干法蚀刻工艺将表面的多晶硅（102a）去除，该工艺将在氮化硅层（101）两侧壁残留多晶硅,记为侧壁多晶硅（102b），随后采用干法蚀刻工艺在相邻两侧壁多晶硅（102b）之间的外延层（100）上蚀刻出沟槽Ⅰ（109a），并在沟槽Ⅰ（109a）表面生成闸极氧化层（103a）；S3：在沟槽Ⅰ（109a）内填入闸极多晶硅（102c）使其包覆整个器件上表面，并将闸极多晶硅（102c）的表面进行平坦化处理；S4：采用湿法蚀刻工艺同时将侧壁多晶硅（102b）和闸极多晶硅（102c）去除，且闸极多晶硅（102c）蚀刻至低于外延层（100）表面，以确保外延层（100）表面无多晶硅残留，随后在闸极多晶硅（102c）、氮化硅层（101）和外延层（100）表面沉积遮避氧化层（103b）；S5：采用离子注入工艺分别在沟槽Ⅰ（109a）两侧的外延层（100）内形成P型阱区Ⅰ（104）和N型阱区（105）；S6：在整个器件表面沉积形成介电层（106），并对介电层（106）表面进行平坦化处理，使得介电层（106）的表面与氮化硅层（101）上的遮避氧化层（103b）表面齐平或者低于氮化硅层（101）上的遮避氧化层（103b）表面；S7：采用干法蚀刻工艺依次将氮化硅层（101）表面的遮避氧化层（103b）、氮化硅层（101）及氮化硅层（101）垂直投影面对应的部分外延层（100）去除，形成沟槽Ⅱ（109b），并在沟槽Ⅱ（109b）内进行离子注入形成P型阱区Ⅱ（107），所述P型阱区Ⅱ（107）两侧同时连接P型阱区Ⅰ（104）和N型阱区（105）；S8：在介电层（106）表面和沟槽Ⅱ（109b）内沉积金属（108）形成电极，采用光刻工艺基于第二道光罩层将表面的电极进行分离得到栅极和源极，完成沟槽式MOSFET的制作。

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