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申请/专利权人：深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司

摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种低电压蠕变的P型沟槽栅MOS器件，该器件包括：P型衬底、P型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；所述P型外延层位于所述P型衬底之上；所述元胞区和所述终端区位于所述P型外延层上，所述元胞区的N型阱区延长接触至所述终端区的指定的终端沟槽，所述指定的终端沟槽为与所述元胞区相邻的终端沟槽；其中，在所述元胞区与所述终端区之间的指定区域中，按照从所述元胞区至所述终端区的方向，所述指定区域中的N型阱区的掺杂浓度随着所述指定区域对应的N型阱区掩膜版的开口宽度增加而增加。通过该器件，改善P型沟槽栅MOS器件的电压蠕变现象，提高器件的耐压能力。

主权项：1.一种低电压蠕变的P型沟槽栅MOS器件，其特征在于，包括：P型衬底、P型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；所述P型外延层位于所述P型衬底之上；所述元胞区和所述终端区位于所述P型外延层上，所述元胞区的N型阱区延长接触至所述终端区的指定的终端沟槽，所述指定的终端沟槽为与所述元胞区相邻的终端沟槽；所述元胞区包括：n个元胞沟槽、n+1个电极区、所述N型阱区、P+接触区和元胞区介质层，n为大于3的正整数；所述N型阱区位于所述P型外延层中；所述元胞区介质层位于所述P型外延层之上；所述元胞沟槽和所述电极区交替设置，所述元胞沟槽穿过所述N型阱区位于所述P型外延层中，所述电极区穿过所述元胞区介质层位于所述N型阱区中，其中，所述元胞沟槽在所述P型外延层中的深度大于所述N型阱区的深度，所述N型阱区的上表面和所述元胞沟槽的上表面与所述P型外延层的上表面处于同一水平面；所述P+接触区位于所述N型阱区中，所述P+接触区的上表面与所述P型外延层的上表面处于同一水平面；除与指定的元胞沟槽相邻的电极区之外的电极区均穿过所述N型阱区中的所述P+接触区，且该电极区的深度大于所述P+接触区的结深，所述指定的元胞沟槽为与所述终端区相邻的元胞沟槽；指定区域为从所述元胞区的元胞区介质层边缘至所述指定的终端沟槽之间的区域，或为所述元胞区的与终端区相邻的电极区至所述指定的终端沟槽之间的区域，或为所述元胞区的与终端区相邻的元胞沟槽至所述指定的终端沟槽之间的区域；其中，在所述元胞区与所述终端区之间的指定区域中，按照从所述元胞区至所述终端区的方向，所述指定区域中的N型阱区的掺杂浓度随着所述指定区域对应的N型阱区掩膜版的开口宽度增加而增加，使得指定区域中的N型阱区形成不同深度的N型阱区，以降低指定的终端沟槽的终端区沟槽氧化层在雪崩击穿过程中发生的热载流子注入，改善由雪崩击穿过程中发生的热载流子注入的增加使得P型沟槽栅MOS器件的负向电压蠕变的程度，这种局部增加终端区的阱区结深的方式能有效优化终端区的终端沟槽附近的强电场分布，即改善终端区的终端沟槽深度和阱区结深不匹配带来的高电场峰值，降低沟槽氧化层的热载流子注入，抑制电压蠕变的发生，提高本器件的耐压能力，减小器件的潜在风险。

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