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申请/专利权人：甬矽半导体(宁波)有限公司
摘要：本发明提供了一种扇入型封装结构的制备方法和扇入型封装结构，涉及芯片封装技术领域，该制备方法首先将牺牲载板拼接至支撑载具，支撑载具内侧中部形成有第一介质层，该第一介质层将支撑载具分隔成第一凹槽和第二凹槽。再在第二凹槽内贴装晶圆，再在第二凹槽内填充胶层。然后再研磨减薄晶圆和胶层，再在第二凹槽中贴装结构载板。翻转后去除牺牲载板，然后在第一介质层的表面形成布线组合层，最后植球并切割。相较于现有技术，本发明采用了支撑载具，能够使得晶圆减薄后也能够得到良好的周缘支撑，从而解决晶圆卷曲的问题，无需占用晶圆的边缘区域，保证了晶圆有效区域，在第一凹槽内完成布线，划定了布线区域，保证了布线效果。
主权项：1.一种扇入型封装结构的制备方法，其特征在于，包括：在支撑载具的内侧拼接牺牲载板，其中，所述支撑载具呈环状，并在内侧中部形成有第一介质层，所述第一介质层封堵于所述支撑载具的内部，并将所述支撑载具分隔成第一凹槽和第二凹槽，所述牺牲载板填充所述第一凹槽并贴合至所述第一介质层；在所述第二凹槽内贴装具有多颗芯片的晶圆，其中，所述晶圆具有第一焊盘的一侧贴合至所述第一介质层的中部；在所述第二凹槽内填充胶层，其中，所述胶层填充至所述晶圆和所述第二凹槽的内侧壁之间；研磨减薄所述晶圆和所述胶层，以使所述晶圆和所述胶层平齐并低于所述第二凹槽的边缘；在所述第二凹槽中贴装结构载板，其中，所述结构载板填充所述第二凹槽并同时贴合至所述晶圆和所述胶层；去除所述牺牲载板；在所述第一介质层背离所述结构载板的一侧布线形成布线组合层；在所述布线组合层上植球形成焊球；切割去除所述支撑载具，并切割所述布线组合层、所述晶圆和所述结构载板；其中，在所述支撑载具的内侧拼接牺牲载板的步骤，包括：制备支撑载具，其中所述支撑载具的内侧中部设置有朝内凸起的支撑端环；在所述支撑端环上形成所述第一介质层，所述第一介质层的边缘包覆压合至所述支撑端环，并将所述支撑载具分隔成第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽内贴装牺牲载板。
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