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申请/专利权人:江苏大学
摘要:本发明提供一种p型透明功能氧化物薄膜在GaN类材料上自缓冲界面保护异质外延生长方法。实现氧化物在室温到高温条件下,在GaN类材料外延层上高质量异质外延生长,巧妙地将该外延层用作界面保护层和上层生长缓冲层,解决了氧化物‑GaN类材料外延过程中界面破坏问题,获得高质量p型氧化物外延薄膜,保护异质界面构筑高性能pn异质结。本发明生长工艺简单,可靠性好,适用范围广,以该方法制备出的氧化物‑GaN类材料pn异质结兼顾高工作电压和低漏电流等优点,能够形成更好的导通与截止性质。并且在紫外光的照射下可产生明显的光生电压,具备优异的光伏效应。
主权项:1.一种p型透明功能氧化物薄膜在GaN类材料上自缓冲界面保护异质外延生长方法,其特征在于,包括如下步骤:1在室温至50℃温度区间范围,利用沉积技术,在基底上的外延生长第一层p型透明氧化物自缓冲层;2再次利用沉积技术,控制沉积温度在500~900℃,在步骤1所得的第一层p型透明氧化物缓冲层之上继续生长第二层高质量p型透明氧化物薄膜。
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权利要求:
百度查询: 江苏大学 一种p型透明功能氧化物薄膜在GaN类材料上自缓冲界面保护异质外延生长方法
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